1．二硫化鉬器件開發取得重大突破
2017年4月，維也納理工大學光子學研究所研製出世界首個由二維半導體材料二硫化鉬（MoS2）製成的微處理器。該微處理器表面積約0.6毫米2，由115個電晶體組成，可以運行簡單的程式，並可擴展到多位數據。該器件是目前由二維材料製成的最複雜電路，是該研究領域的重大突破，開闢了未來微處理器和其他積體電路發展新空間。12月，美國德克薩斯大學利用石墨烯和二硫化鉬首次在紙基材上製備出高性能二維電晶體，可使紙基電子器件達到物聯網和智慧感測器應用所需的頻率。研究人員通過在紙上塗覆聚合物薄膜塗層，克服了紙張表面粗糙對電流流動不利的問題；加之這種紙張不會吸收水或化學物質，承溫能力高，可滿足器件製備的需求。該研究成果有望實現複雜紙基電路（如紙上無線射頻系統），加快紙基電子器件的應用。
2．品質控制與檢測技術加速二硫化鉬商業化
2017年7月，英國牛津儀器公司與國家物理實驗室（NPL）提出一種二硫化鉬材料非破壞性品質控制方法，可無損檢測材料晶體中缺陷的數量。研究團隊開發出新型沉積系統，並使用拉曼光譜法測量二硫化鉬缺陷。拉曼光譜法是一種非破壞性測量技術，可用於優化材料生長過程，生產出高品質、低缺陷密度的二硫化鉬薄膜，促進這種材料的商業化。8月，美國勞倫斯伯克利國家實驗室利用光致發光激發（PLE）光譜技術精確測量了二維二硫化鉬的帶隙，發現通過簡單地調整材料中的電子密度，可以調節材料的電學與光學性質，明確二維材料的帶隙有助於利用帶隙結構有序地將二維材料與其他材料或元件連接在一起，擴大材料的應用。